奈米先進製程專利地圖
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◇ 產業趨勢 : 2奈米製程、GAAFET（Gate-All-Around FET）、FinFET、先進封裝、3D堆疊、EUV光刻、量測與檢測技術
◇ 申請年份 : 2010年–至今
◇ 全球主要申請人 : 台積電（TSMC）、三星電子（Samsung Electronics）、英特爾（Intel）、聯電（UMC）、中芯國際（SMIC）、格羅方德（GlobalFoundries）、華為（Huawei）、阿里巴巴（Alibaba）、蘋果（Apple）、高通（Qualcomm）
◇ 主要核准之關鍵專利 : GAAFET結構設計、FinFET製程技術、EUV光刻技術、先進封裝技術、3D堆疊技術、量測與檢測技術
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我們引領半導體領域的未來，以世界頂尖的奈米先進製程技術打造晶片核心競爭力。憑藉卓越的製程精密度與創新能力，我們持續推動產業升級，確保產品在效能、能耗與可靠性上達到全球領先水平，助力各行各業實現數位化與智慧化轉型，鞏固全球市場領導地位。
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