HBM高速記憶體專利地圖
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◇ 產業趨勢 : 高帶寬記憶體（HBM）、3D 堆疊、硅通孔（TSV）、高效能運算（HPC）、人工智慧（AI）加速器、GPU、ASIC、記憶體介面設計
◇ 申請年份 : 2010年–至今
◇ 全球主要申請人 : SK hynix、三星電子、台積電（TSMC）、美光科技、AMD、NVIDIA、Intel、Xilinx、華為、阿里巴巴、日月光半導體（ASE）
◇ 主要核准之關鍵專利 : HBM 記憶體堆疊結構、硅通孔（TSV）製程技術、高效能記憶體介面設計、記憶體控制器架構、低功耗記憶體設計、記憶體測試與封裝技術
原價 NT.8,000/年
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HBM 高速記憶體透過垂直堆疊多個 DRAM 晶片，並搭配高頻寬介面，實現卓越的資料傳輸速度與能效表現。其高密度、低延遲的特性，使人工智慧運算、圖形處理及高效能運算系統能快速處理龐大資料量，推動運算性能的極限，滿足未來數位化與智慧化應用的需求。
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